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詳細介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 應用領域 | 綜合 |
|---|
MTS1TEMP80
MTS1HIGHTEMP80
MTS1TEMP44
描述
這款基于MEMS技術的高靈敏度單通道熱電堆探測器，配備了80個鉍銻合金/銻熱電偶。其較高的探測度高達12.2*10^8 cmHz^1/2/W，以及高達501 V/W的靈敏度，得益于兩個關鍵因素。該探測器具有針對光學系統(tǒng)優(yōu)化的薄膜——輻射敏感的熱電偶對齊于一個焦點。氪氣填充進一步提高了熱電堆的探測度和靈敏度。濾波器在8至14 µm的傳輸范圍內測量。這意味著在H2O帶寬范圍內沒有吸收。排除了濕度的影響。這些特性使其能夠在工業(yè)中非接觸式溫度測量的苛刻應用中使用，例如玻璃和塑料行業(yè)中熔化過程的溫度監(jiān)測，或汽車行業(yè)中發(fā)動機和剎車的溫度監(jiān)測。
該探測器可在-20至85 °C的環(huán)境溫度下使用。集成的熱敏電阻可以補償外部溫度影響。
應用
l玻璃、聚合物：熔化過程的溫度監(jiān)測
l汽車和其他移動部件：發(fā)動機、剎車的溫度監(jiān)測
l生命科學醫(yī)療：實驗室參數的非接觸式溫度測量
l金屬、紙張：熱指示工藝參數的監(jiān)測
l太陽能半導體：維護
產品優(yōu)勢
l由于使用了最佳的材料，如BiSb/Sb用于熱電效應（MTS80），性能較好。
l最佳探測度
l高靈敏度
特點
l環(huán)境溫度高達180 °C
l可選焊接濾波器，適用于惡劣環(huán)境
l高靈敏度
l抗?jié)穸群推渌h(huán)境影響
技術參數
技術參數 | TEMP80 | HIGHTEMP80 | TEMP44 | 單位 |
有效面積 | ? 0.5 | ? 0.5 | 1.0 x 1.0 | mm2 |
相對孔徑 | ? 0.75 | ? 0.75 | ? 0.75 | mm2 |
熱電偶數量 | 80 | 80 | 44 |
|
時間常數0-63%1,2,3 | typ. 51 | typ. 51 | typ. 13 | ms |
直流輸出電壓1,2,3 | typ. 3.74 | typ. 3.74 | typ. 1.47 | mV |
直流靈敏度1,2,3 | typ. 501 | typ. 501 | typ. 39 | V/W |
噪聲電壓2 | typ. 18 | typ. 18 | typ. 24 | nV/Hz? |
噪聲等效功率NEP1,2,3 | typ. 0.04 | typ. 0.04 | typ. 0.62 | nW/Hz? |
比靈敏度D*1,2,3 | typ. 12.2*108 | typ. 12.2*108 | typ. 1.61*108 | cmHz?/W |
熱電堆的電阻2 | typ. 20 | typ. 20 | typ. 35 | kΩ |
熱敏電阻 | PTC Ni1000，其他按需提供：技術規(guī)格請參見文件“熱敏電阻"。 | |||
充填氣體3 | Kr | Kr | Kr | |
濾光 | Si, 8 -14 μm (B1) | Si, 8 -14 μm (B1) | Si, 8 -14 μm (B1) |
|
工作溫度 | -20 ... +85 | -20 ... +180 | -20 ... +85 | °C |
外殼 | TO39 | TO39 | TO39 | |
1. 在T=500 K，E=38 W/m2的情況下，不受濾波器特性的影響。
2. 在Tamb = 25 °C時。
3.使用氪氣填充，其他氣體根據客戶要求提供。
典型操作特性
MTS1HIGHTEMP80 with filter B1
MTS1HIGHTEMP80 with filter B1
MTS1 filter B1
電氣示意圖
電路
等效電路圖
機械制圖
底部
頂部MTS1TEMP80/44
頂部MTS1HIGHTEMP80
截面圖MTS1TEMP80/44
截面圖MTS1HIGHTEMP80
產品概述
型號 | 類型 | 填充氣體 | 低溫度 | 最高溫度 | 光圈 |
TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1-180 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 180 °C | 0.75 mm |
TS1x80B-A-D0.75-1-Kr-B1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 0.75 mm |
TS1x44S-A-D0.75-1-Kr-B1 | TO39 with cap | Kr | -20 °C | 85 °C | 0.75 mm |
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